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SK海力士去年第四季度资本支出高达12.3488万亿韩元。其全年资本支出总额达30.173万亿韩元，其中约40%在第四季度完成。业内人士表示，随着电子和美光等公司在高带宽内存（HBM）领域的竞争日益激烈，SK海力士进行大规模投资旨在重夺市场领导地位。SK海力士已表示，今年将继续保持这种扩张性的资本支出策略。
根据韩国金融监督院2日发布的电子披露系统数据显示，SK海力士去年的资本支出相当于其全年营收的31.1%（97.1467万亿韩元）。与2024年的资本支出计划（17.956万亿韩元）相比，增幅高达68.0%。去年第三季度之前，该公司季度资本支出一直维持在5万亿至6万亿韩元左右，但第四季度却突破了12万亿韩元，这是一个显著的变化。
“HBM行业第一”企业的市场领导地位出现动摇
半导体行业指出，SK海力士大举加大资本支出规模的时机，恰好与其“HBM市场领导地位”开始动摇的时间点重合。SK海力士在第五代HBM（HBM3E）之前一直保持着独家供应商的地位。三星电子和美光也向英伟达供应HBM3E，但SK海力士的出货量远超它们。
这种结构在去年下半年开始出现裂痕。三星电子开始增加对英伟达等主要客户的出货量，而且这种趋势似乎会延续到下一代产品中。
在半导体行业，三星电子凭借其第六代HBM（HBM4）“全球首批量产产品”的发布，从SK海力士手中夺得了市场领导地位。HBM4被搭载于英伟达今年即将推出的“Vera Rubin”人工智能（AI）芯片上。实际上，三星电子抢在SK海力士之前，设计出了符合英伟达要求的HBM4，并已开始量产。上个月，三星电子还在英伟达年度开发者大会GTC 2026上展示了第七代HBM（HBM4E）的实物，表明了其对自身技术的信心。
作为全球第三大内存半导体公司，美光科技的竞争绝非易事。美光科技正式宣布，将在2026年GTC大会开幕之际开始量产HBM4内存。此前有人猜测美光科技被排除在Vera Rubin的首批供货之外，但美光科技表示，其量产的HBM4内存是“专为Vera Rubin设计的”。
相比之下，SK海力士去年9月宣布已建立业内首个HBM4量产系统，但至今尚未公布出货量。一位熟悉SK海力士情况的业内人士表示：“据我了解，为满足英伟达的要求而进行的设计变更尚未完成。”
加大资本支出以确保竞争力
SK海力士大幅增加资本支出很可能是为了应对这些市场变化。随着今年HBM市场竞争日趋激烈，半导体行业人士认为SK海力士可能会继续保持扩张性的资本支出策略。事实上，SK海力士在去年的年度业绩报告中也曾表示：“我们预计今年的投资规模将比上年大幅增长。”
自今年年初以来，SK海力士的资本支出扩张迹象已逐渐显现。2月24日，SK海力士董事会批准从荷兰ASML公司引进价值11.9496万亿韩元的极紫外（EUV）光刻机设备。这笔款项涵盖了新设备购置、安装以及运营改造等费用。此次EUV产能扩张计划预计将于2027年12月前完成，为期约两年，旨在“应对下一代工艺的量产需求”。该公司此次扩产是为了满足人工智能存储器（包括HBM4）日益增长的需求，以及不断扩大的通用DRAM需求。
今年2月，SK海力士宣布将在2030年12月底前追加投资21.6081万亿韩元，用于在龙仁半导体产业集群建设一期晶圆厂（生产设施）。因此，一期晶圆厂的总投资额将达到31万亿韩元。一期晶圆厂位于京畿道龙仁市处仁区元三面，建筑高度相当于一座50层公寓楼，将包含两个结构框架和六个洁净室。SK海力士计划利用追加投资提前启用洁净室，以满足客户需求。此外，该公司近期还购入了一台由美国应用材料公司和荷兰贝西公司联合开发的混合键合在线设备，加速提升其下一代制造能力。
该公司也在积极筹集资金。SK海力士于2月24日向美国证券交易委员会（SEC）提交了一份保密的公开发行注册声明（F-1表格），申请发行美国存托凭证（ADR）。ADR是允许外国公司在美国股票市场交易其股票的证券，主要用于扩大全球投资者的市场准入。虽然发行规模和方式尚未确定，但市场预计约为10万亿至15万亿韩元。SK海力士总裁郭鲁正上个月在2026年股东大会上表示：“我们正积极筹备，目标是在今年下半年上市。”他还补充道：“我们将筹集超过100万亿韩元的净现金。”
SK海力士一直坚持将约30%的收入用于资本支出（资本支出纪律）。据金融数据提供商FnGuide的数据显示，SK海力士今年的年度销售额预期（证券公司预测的平均值）为238.5368万亿韩元。如果今年的资本支出比例保持不变，其资本支出可能比上年翻一番以上。
一位业内人士表示：“SK海力士在稳固HBM市场领导地位后，对设备和设施投资采取了保守态度”，但他补充道：“自从有评估显示其HBM市场领导地位动摇以来，态度发生了180度大转变，该公司正在积极采取措施确保产能。”
（来源：编译自chosun）
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